1月14日上午，应中国科学院深圳先进技术研究院先进材料科学与工程研究所（筹）孙蓉研究员邀请，中科院微电子所金智研究员在深圳先进院B810会议室作题为“石墨烯微电子器件”的学术报告。报告会由材料所（筹）先进材料中心李金辉博士主持，材料所（筹）的科研骨干们参加此次报告会。 

　　金智首先介绍了微电子所的历史沿革，发展现状和组织架构以及微电子所现有的半导体器件加工测试平台。经过五十多年的发展，微电子所已经成为国内微电子领域学科方向布局最完整的综合研究与开发机构之一。报告中，金智指出速度和功耗是IC技术发展的重要瓶颈，提高载流子的迁移率是降低功耗和延续摩尔定律的关键。目前集成电路工艺尺寸持续减小而且形式上愈发多样化集成化小型化，尤其是特征尺寸进入5-3 nm阶段后亟需采用非硅高迁移率材料，而石墨烯具有非常高的迁移率，因此在延续摩尔定律方面被寄予厚望。 

　　金智提到低界面态高K栅介质沉积技术和工艺，低金属/石墨烯欧姆接触研究，石墨烯场效应晶体管的输运特性，石墨烯器件的低频噪声特性以及高频石墨烯场效应晶体管等方面的相关工作和成果。在交流互动环节，先进材料研究中心胡友根博士和李金辉博士就石墨烯微电子器件的封装工艺和材料面临的需求和挑战提出了具体问题，金智分别做了详细地解答和交流。 

会议现场